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硫酸根离子选择性膜电极的制备方法

专 利 号:201210027316.0 专利类型:
所属行业:能源/动力/电力 - 新能源
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本发明涉及一种硫酸根离子选择性膜电极的制备方法,其是将PTFE4.8g~6g,溶解于95g水中,作为基体;然后将取1~2ml浓度为5mol/l的硫酸溶液作为电活性物质,与5ml上述PTFE溶液混合;再加入0.2~0.5g纳米氧化铝作为增强剂,充分搅拌后均与涂布在玻璃板上,再烘干从而制备敏感膜,然后再组装以Ag/AgCl为内参比电极、0.1mol/L的硫酸钾溶液作为内参比溶液的膜电极。本发明的方法制备的膜电极具有强度、稳定性好且造价低廉的优点。

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